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        當前位置:政策資訊 > 產業政策 > 廣東省科學技術廳關于征求2021年度廣東省重點領域研發計劃“電子化學品”重點專項申報指南意見的函

        廣東省科學技術廳關于征求2021年度廣東省重點領域研發計劃“電子化學品”重點專項申報指南意見的函

        時間:2021-06-15 16:52 瀏覽:412

        各有關單位:

          為全面貫徹落實黨的十九大和習近平總書記關于加強關鍵核心技術攻關的重要指示精神,落實《廣東省培育前沿新材料產業集群行動計劃(2021-2025年)》有關要求,以我省電子信息產業龍頭企業的戰略需求為牽引,提升供給保障能力、促進產業鏈快速穩健發展。按照《廣東省重點領域研發計劃實施方案》部署,結合我省電子化學品的產業基礎與發展實際,經前期調研、專家論證,我廳形成了《2021年度廣東省重點領域研發計劃“電子化學品”重點專項申報指南(征求意見稿)》(以下簡稱申報指南(征求意見稿))。

          為提高項目組織的公平性、科學性和精準性,現將申報指南(征求意見稿)向社會公開征求意見,歡迎國內企事業單位提出修改意見和建議,并積極準備申報。有關修改意見和建議請按照格式要求填寫,并以單位名義于2021年6月21日前通過本網站提交。我廳將會同有關部門、專業機構和領域專家,認真研究反饋的意見建議,修改完善指南并適時向社會發布。征集到的意見將不再一一反饋、回復。

          省科技廳

          2021年6月14日


          2021 年度廣東省重點領域研發計劃“電子化學品”重點專項申報指南

          (征求意見稿)

          根據《廣東省重點領域研發計劃實施方案》部署,結合廣東實際,以電子信息產業龍頭企業的戰略需求為牽引,以提升供給保障能力、促進產業鏈穩健發展為目標,以補短板、強弱項、增優勢為主要著力點,啟動實施廣東省重點領域研發計劃“電子化學品”重點專項。主要圍繞制約我省集成電路、電子電路等領域發展的關鍵材料和工藝,針對產業鏈中的薄弱和缺失環節,進行系統布局,有效支撐新一代電子信息、半導體及集成電路等戰略性產業集群向縱深發展。

          本專項重點部署集成電路晶圓加工用電子化學品、集成電路載板制造用電子化學品、集成電路封裝用電子化學品、電子電路制造用電子化學品等 4 個專題,共 11 個研究方向,各方向原則上支持 1 項,實施周期為 2~3 年。每家企事業單位只能牽頭申報 1 個項目,項目聯合申報單位不多于 10 家,項目自籌經費不低于項目總投入的 70%,申報時須涵蓋各方向所列的全部研究內容,項目完成時需完成該方向所列的全部考核指標。


          專題一 集成電路晶圓加工用電子化學品

          方向 1 芯片級化學機械拋光(CMP)材料研發及產業化

          1. 研究內容。

          研究芯片級化學機械拋光材料中納米氧化鈰、氧化硅磨料,拋光墊的配方、制備技術及產業化,開發出適用于 8 寸向下兼容化合物半導體及 MEMS 先進制程工藝路線,及 12 寸硅晶圓先進制程工藝路線的拋光材料。開展鈰原料分離純化、前驅體尺寸和形貌的可控制備技術,探索前驅體的分解機理,解決納米氧化鈰團聚的問題,實現納米氧化鈰磨料的規?;苽?。開展納米氧化硅磨料成核和晶核定向生長的原理研究,優化納米氧化硅合成技術,實現單分散、穩定的氧化硅納米顆??煽刂苽?,以及一致性、穩定性的規?;a。開展面向硅晶圓、化合物半導體或層間介質層(ILD)化學機械拋光應用的拋光過程小試、中試研究,提升拋光液的拋光效率和拋光效果,完成可靠性試驗,實現拋光液在 CMP 過程中的典型應用驗證。開展拋光墊原料的高純提取技術,組分、凝聚態行為、泡孔結構與材料在液體下的磨損行為與機理研究,實現拋光墊的均一、穩定制備,減少缺陷度與非均一性,提升其耐磨損性、拋光效率。

          2. 考核指標。

          (1) 技術指標。

          1) 氧化鈰拋光料:顆粒為球形或類球形,粒徑 60-120 nm, 實現典型顆粒尺度 60±5 nm,100±10 nm 的穩定制備;PDI(粒子分布集中度)<0.2;氧化鈰純度 4N~5N;氧化鈰顆粒濃度:1-5 wt.%;溶膠體系穩定性:Zeta 30 mV;主要雜質元素含量 Al<3ppm,B<4 ppm,Ca<1 ppm,Co<0.5 ppm,Cr<1 ppm,Cu<0.25 ppm,Fe<4 ppm,Mg <0.5 ppm,Mn<0.25 ppm,Na<5 ppm, Ni<1 ppm,Zn<0.25 ppm,K<0.8 ppm;淺溝槽隔離(STI)工藝拋光后在 75 μm×75 μm 區域蝶形凹陷小于 300 ?,二氧化硅研磨速率大于 3500 ?/min,氧化硅/氮化硅拋光選擇比≥50;淺溝槽隔離(STI)工藝拋光后氮化硅上氧化硅殘留、顆粒殘留以及刮傷等缺陷小于 5 顆。

          2) 氧化硅拋光料:顆粒的形貌為球形或類球形;粒徑為 20-120 nm,實現典型的顆粒尺度 25±3 nm,45±3 nm,65±3 nm, 85±5 nm,100±10 nm 穩定制備;顆粒尺度分布窄,PDI<0.2,顆粒的締合度:1~2;顆粒純度:達到 20 wt.%;金屬雜質離子(Al、Ca、Cu、Fe、K、Na、Mg、Zr 等)總量小于 400 ppb(Al、Ca、Cu、Fe、K、Mg 小于 0.05 μg/g,Zr、Zn、Ni 小于0.01 μg/g,Na 小于 0.05 μg/g);實現氧化硅單釜合成規模 1 立方米,實現年產量達 3~7 噸(20wt.%);顆粒合成的批次穩定性:實現典型的顆粒尺度 25±3 nm,45±3 nm,65±3 nm,85±5 nm,100±10 nm 連續三個批次的穩定制備。滿足硅晶圓、化合物半導體或層間介質層化學機械拋光低劃傷的要求,顆粒殘留以及刮傷等缺陷小于 5 顆。

          3) 聚氨酯拋光墊:

          拋光墊厚度 1.25-2 mm,拋光墊密度 0.3-1 g/ml;Cu 研磨速率>7000 ?/min@93RPM,2.0 psi;Cu 工藝拋光后在 75 μm×75μm 區域蝶形凹陷<600 ?;阻擋層(Barrier)拋光后蝶形凹陷和侵蝕<300 ?;Cu 阻擋層(Barrier)選擇比>500;介質層區域無Cu 殘留,顆粒殘留以及刮傷等缺陷<5 顆。

          (2) 產業化指標。

          完成超高純氧化物的可控量產,在 8 寸硅/化合物半導體晶圓中試線完成小試和中試試驗,并完成在 12 寸硅晶圓先進制程等場景的可靠性測試和驗證。產品具有良好批次穩定性,建立產品示范性生產線,氧化硅磨料(濃度 20wt.%)實現年產≥3 噸產能;納米氧化鈰拋光料實現噸級產能;氧化硅、氧化鈰拋光液均實現噸級產能;聚氨酯拋光墊實現噸級產能。

          (3) 其它指標。

          申請發明專利不少于 10 件。

          3. 申報要求。

          本方向采用“揭榜掛帥”方式。省內企事業單位均可牽頭申報,鼓勵產學研聯合申報。完成時項目單位須提供量產后連續三批次產品一致性、考核指標測試合格的證明及應用驗證報告,或非參研用戶單位半年以上應用良好的評估報告,產業化生產落地須在廣東企業。


          方向 2 無氰環保鍍金液及其應用技術的研發及產業化

          1. 研究內容。

          開展應用于硅基半導體及化合物半導體領域的亞硫酸鹽無氰鍍金液體系的研究,突破亞硫酸金鈉鍍金液的高穩定性制備技術、無中高毒類中性或酸性鍍金液配方設計、鍍金質量控制及鍍液分散能力和深鍍能力技術等;研究新型絡合機制和電化學反應機理,解決鍍金液體系穩定性、分散性、鍍金效率,金鍍層的均勻性、鍍層結合力、硬度和產品的可靠性等問題,驗證無氰環保鍍金液體系在硅基半導體與化合物半導體領域的應用,完成中試工藝優化,實現無氰鍍金液體系及技術的產業化。

          2. 考核指標。

          (1) 技術指標。

          1) 鍍金液體系:氰化物<0.01 mg/L、砷<0.1 mg/L、鉈<0.1 mg/L、銻<0.1 mg/L、鉻<0.1 mg/L、鉛<0.1 mg/L、鎘<0.1 mg/L 、汞< 0.01 mg/L ;可連續生產> 10MTO (金屬置換周期);分散能力≥70% ;金濃度> 10 g/L ;析出效率> 120 mg/A?min。

          2) 鍍金晶粒:尺寸約 150 nm;金層硬度≤120 HV(退火前),≤85 HV(退火后);金層粗糙度 Ra 為 50-150 nm@20 μm 厚;金層純度>99.99%;鍍金層應力<±100 MPa;可焊性良好,符合IPC-J-STD 003C(國際電子工業聯接協會標準)和 ASTM B488(美國試驗材料學會標準)的要求;硝酸蒸汽試驗后無腐蝕,孔隙率符合 EIA 364-52B(美國電子工業聯合會標準)和 ASTM B488 標準的要求;熱處理(250 ℃,30 min)黑點數≤5 個/cm2。晶圓片鍍金工藝,鍍金液不侵蝕光刻膠,不發生滲鍍現象,鍍金層平順,色澤均勻,且無結瘤和沙孔等瑕疵。

          (2) 產業化指標。

          項目成果滿足應用端在芯片上的工藝需求和可靠性要求,能夠穩定提供產品,與用戶簽訂正式采購協議,持續供貨 6 個月以上。項目滿產后新增銷售 1000 萬元。

          (3) 其它指標。

          申請發明專利不少于 5 件。

          3. 申報要求。

          本方向采用“揭榜掛帥”方式。由省內企業牽頭申報,鼓勵產學研聯合申報。完成時項目單位按產業化指標要求須與下游用戶簽訂正式采購協議,持續供貨 6 個月以上,產業化生產落地須在廣東企業。


          方向 3 半導體先進制程用電子特氣的研發及產業化

          1. 研究內容。

          研究半導體先進制程用氦氣、溴化氫、六氟丁二烯的純化技術;攻關氦氣中氧氣、碳氫雜質、水的雜質脫除技術;溴化氫中金屬離子及水雜質的脫除技術,制備設備和包裝物的內壁處理技術;六氟丁二烯中氟碳化合物及酸度的脫除技術,制備設備和包裝物的內部處理技術,多聚物雜質的分析檢測技術等。實現穩定的規?;a,最終通過 8 寸半導體微納加工公共技術平臺工藝應用驗證及下游企業的應用驗證。

          2. 考核指標。

          (1) 技術指標。

          1)氦氣:≥99.9999%;雜質氣體含量:N2≤0.2 ppm;O2≤0.1 ppm;CO≤0.05 ppm;CO2≤0.05 ppm;CH4≤0.05 ppm;H2≤ 0.1 ppm;H2O≤0.2 ppm。

          2 )溴化氫: ≥99.999% 。雜質氣體含量: N2≤3.0 ppm ; O2≤1.0 ppm ; CO≤0.5 ppm ; CO2≤3.0 ppm ; CH4≤1.5 ppm ; H2O≤1.0 ppm。

          3)六氟丁二烯:≥99.99%,雜質氣體含量:N2≤40.0 ppm; O2+Ar≤10.0 ppm;H2O≤5.0 ppm;CO2≤20.0 ppm;碳氟化合物≤200.0 ppm;HF≤5.0 ppm;異丙醇≤20.0 ppm。

          (2) 產業化指標。

          建立一條超純氦生產線,采用國內空分原料或俄羅斯氦源, 產能 2 萬 m3/年,純度 6N。建立一條高純溴化氫生產線,采用國內原料,產能 200 噸/年,純度 5N 產品。建立一條高純六氟丁二烯生產線,產能 10 噸/年,純度 4N。通過第三方檢測符合純度要求,滿足下游用戶的制程要求。

          (3) 其它指標。

          申請發明專利不少于 5 件。

          3. 申報要求。

          本方向采用“揭榜掛帥”方式。由省內企業牽頭申報,鼓勵產學研聯合申報。完成時項目單位須提供量產后連續三批次產品一致性、考核指標測試合格的證明及應用驗證報告,或非參研用戶單位半年以上應用良好的評估報告,產業化生產落地須在廣東企業。


          專題二 集成電路載板制造用電子化學品

          方向 4 倒裝芯片球柵格陣列(FC-BGA)封裝載板用增層膠膜的研發及產業化

          1. 研究內容。

          研究 FC-BGA 封裝載板用增層膠膜的配方、輔材配方、加工工藝、關鍵性能測試方法、生產穩定性與一致性控制技術等。重點攻關增層膠膜用高純度原材料與核心配方技術,研發高效固化劑,提升材料盲孔加工孔壁質量,開發配方用無機填料,增強材料的加工流動性、銅層與基材結合力、線路精細加工能力等;實現膠膜表面粗糙度均勻一致、化學銅層與絕緣層之間的高結合力,實現增層膠膜的產業化生產,滿足在 FC-BGA 封裝中的典型應用,并通過可靠性試驗。

          2. 考核指標。

          (1) 技術指標。

          FC-BGA 封裝載板用增層膠膜:玻璃化溫度( Tg ):≥200 ℃;熱膨脹系數(CTE x-y,25~150℃):≤20 ppm;CTE x-y,150~250 ℃:≤70 ppm;模量:≥9 GPa;Dk@1GHz(介電常數): ≤ 3.3 ; Df@1GHz (損耗因子): ≤0.006 ;抗拉強度(MPa)≥120;延伸率≤2;吸水率(100℃,1h,%)<0.5;粗糙度 Ra (去鉆污)< 400 nm;剝離強度(沉銅電鍍)> 0.5 kgf/cm;可靠性測試:LtL HAST(高加速溫濕度試驗) 25 um(130 ℃,85%,10V);HAST L/S=15/15 um(130 ℃,85%,10 V)> 96 h;應用場景需覆蓋:應用場景滿足 77.5 × 77.5 mm2,18L 及以上;器件可靠性參考 JEDEC(電子器件工程聯合委員會)相關標準。

          (2) 產業化指標。

          項目實現 FC-BGA 封裝載板用增層膠膜年產能 360 萬 m2,通過封裝載板上應用的可靠性測試。產品實現量產,并具有良好的批次穩定性,項目成果滿足用戶制程的要求,與用戶簽訂正式采購協議,持續供應 6 個月以上,形成批量訂單,新增銷售收入1000 萬元。

          (3) 其它指標。

          申請發明專利不少于 5 件。

          3. 申報要求。

          由省內企業牽頭申報,鼓勵產學研聯合申報。完成時項目單位按產業化指標要求須與下游用戶簽訂正式采購協議,持續供貨6 個月以上,產業化生產落地須在廣東企業。


          方向 5 倒裝芯片球柵格陣列(FC-BGA)封裝載板用芯板的研發及產業化

          1. 研究內容。

          開展 FC-BGA 封裝載板用芯板的關鍵樹脂結構設計與改性技術、增韌改性技術、助劑應用技術、填料表面處理、亞微米級和納米級填料分散以及高填充技術、高填充樹脂體系的成膜技術、板材厚度精控技術、基材翹曲應用表征測試技術等。滿足 SAP(半加成法工藝)制程需求,具備熱膨脹系數低、翹曲低和鉆孔加工性優良,可實現芯板的規?;a,驗證滿足在 FC-BGA 封裝中的典型應用,并通過可靠性試驗。

          2. 考核指標。

          (1) 技術指標。

          FC-BGA 封裝載板用芯板:玻璃化溫度(Tg):>280 ℃;熱膨脹系數( CTE x-y, Tg 以下): ≤5 ppm/℃;彎曲模量: ≥30 GPa ; Dk@1GHz (介電常數): ≤4.3 ; Df@1GHz (損耗因子):≤0.006;參考 JEDEC 標準(電子器件工程聯合委員會), 滿足載板及器件工藝和可靠性要求。

          (2) 產業化指標。

          項目實現厚度 100-1600 μm 的 FC-BGA 封裝載板用芯板的穩定生產,厚度公差四級控制,實現 FC-BGA 封裝載板用芯板年產能 150 萬 m2,并形成批量訂單,新增銷售收入 1500 萬元。

          (3) 其它指標。

          申請發明專利不少于 5 件。

          3. 申報要求。

          由省內企業牽頭申報,鼓勵產學研聯合申報。完成時項目單位按產業化指標要求須與下游用戶簽訂正式采購協議,持續供貨6 個月以上,產業化生產落地須在廣東企業。


          方向 6 帶載體可剝離超薄銅箔的研發及產業化

          1. 研究內容。

          研究剝離層的加工工藝、材料以及結構設計,實現耐高溫、穩定、環保的可剝離層的制備;攻關超薄銅箔的藥水配方、工藝設計,實現厚度均勻、致密、無針孔缺陷、高機械強度;研究超薄銅箔的形貌以及晶粒形態,開發后處理線控制系統,實現低輪廓、高剝離強度;開展帶載體可剝離超薄銅箔的中試工藝優化,實現產品的規?;a。

          2. 考核指標。

          (1) 技術指標。

          物性指標:薄銅厚度≤3 μm ;銅粗糙度 Rz≤1.5 μm , Rmax≤2.0 μm;與 BT 樹脂的剝離強度≥6 N/cm;薄銅與載體銅界面剝離力≤0.1 N/cm;拉伸強度≥400 N/mm2,延伸率≥5%;直徑10 μm 以下針孔少于 3 個。

          可靠性測試指標:高溫抗氧化:200 ℃烘烤 40 min,表面無氧化變色;熱應力:層壓板熱應力測試條件為 288 ℃漂錫 10 s,剝離強度≥6 N/cm,測量方法參照 IPC-TM-650 2.4.8(國際電子工業聯接協會標準);耐熱性極限:測試條件為 288 ℃漂錫 10 min,表面無分層起泡,測量方法參照 IPC-TM-650 2.4.13.1;高溫測試:浸泡在 220 ℃熱油中,剝離強度≥IPC-4101A 標準值,測量方法參照 IPC-TM-650 2.4.8.2;耐化性:按順序逐一浸泡在23 ℃二氯甲烷,90 ℃、10g/L 氫氧化鈉溶液,55 ℃熱水,60 ℃、10 g/L 硫酸和 30 g/L 硼酸混合溶液,55 ℃熱水,220 ℃熱油,23 ℃異丙醇溶液中,浸泡藥水后的剝離強度≥IPC-4101A 標準值,測量方法參照 IPC-TM-650 2.4.8;通過抗氧化、熱應力、耐熱性極限、高溫剝離強度、耐化性等可靠性測試,層壓板表面銅箔無氧化、分層起泡等缺陷,剝離強度測試結果滿足以上指標要求。參考 JEDEC(電子器件工程聯合委員會)標準達到載板及器件工藝和可靠性要求。

          (2) 產業化指標。

          完成帶載體可剝離超薄銅箔各項關鍵技術,通過產品在 IC 載板、類載板具體應用場景的可靠性測試,實現產業化應用,項目成果滿足用戶制程的要求,與用戶簽訂正式采購協議,持續供應 6 個月以上。

          (3) 其它指標。

          發明專利不少于 10 件。

          3. 申報要求。

          由省內企業牽頭申報,鼓勵產學研聯合申報。完成時項目單位按產業化指標要求須與下游用戶簽訂正式采購協議,持續供貨6 個月以上,產業化生產落地須在廣東企業。


          方向 7 集成電路(IC)載板專用防焊油墨及防焊干膜的研發及產業化

          1. 研究內容。

          重點開展 IC 載板用防焊油墨及防焊干膜的核心技術攻關與產業化。研究 IC 載板用防焊油墨中關鍵感光樹脂的設計、合成及改性工藝,油墨的配方設計與材料性能之間的關系,油墨生產工藝,填料界面增容技術等;開展油墨與 IC 載板制程的工藝匹配性研究,實現 IC 載板用防焊油墨在高玻璃化溫度(Tg)、高絕緣性、高解析度、高可靠性方面的突破。研究 IC 載板用防焊干膜的設計合成工藝,重點攻關干膜厚度控制、表面粗糙度優化技術、熱膨脹系數、感光度等調控。開展 IC 載板用防焊油墨及防焊干膜的中試及產業化研究,滿足其在 IC 載板制程中的工藝及封裝后的可靠性要求,實現產業化應用。

          2. 考核指標。

          (1) 技術指標。

          1) IC 載板專用防焊油墨主要技術指標:

          固含: 75-85% ;膜厚: 21±5 um ;硬度: ≥ 6 H ; Tg≥150 ℃;線膨脹系數(CTE): Tg 以下<60 ppm,Tg 以上<150 ppm;拉伸強度:室溫時≥70 MPa,245 ℃時>4.5 MPa;彈性模量:室溫時≥3 GPa,200℃時>0.2 GPa;油墨開窗(SRO):≤60 um、腳/倒腳(foot/undercut):≤+5 um/-15 um。

          操作性:預烤:80 ℃/60 min,曝光:50-100 mj/cm2,顯影: 50-70 s/1% Na2CO3。

          功能性:耐化金:Ni 125 μm/Au 3 μm;耐酸:10%vol H2SO4, 20 ℃/30 min;耐堿:10% vol NaOH, 20 ℃/30 min;耐溶劑: 丙二醇單甲醚乙酸酯, 20 ℃/30 min;耐鍍金:電流密度 20 A/m2,金厚 30 μm;側蝕量:≤10 μm;開口率:≥90%;通過封裝加裸載板可靠性驗證,無開裂、分層現象。

          可靠性:參考 JEDEC(電子器件工程聯合委員會)標準,達到載板及器件工藝和可靠性要求,L/S 20/20 um BHAST(偏壓高加速應力測試) 110 ℃/264 h 10 V;無開裂、分層現象。

          2) IC 載板用防焊干膜主要技術指標:

          膜厚: 21±5 um ;硬度: ≥6 H ;解析度: ≤60 μm ; Tg≥170 ℃;CTE(Tg 以下≤60 ppm,Tg 以上≤150 ppm);拉伸強度:RT ≥78 MPa,245℃ ≥5.5 MPa;模量: RT ≥3 GPa,200℃≥0.2 GPa;填料平均粒徑≤600 nm;表面粗糙度:Rz ≤1 μm。操作性:曝光:50-100 mj/cm2; 顯影:50-70 s/1% Na2CO3

          功能性:耐化金:Ni 125 μm/Au 3μm;耐酸:10%vol H2SO4, 20 ℃/30 min;耐堿:10% vol NaOH, 20 ℃/30 min;耐溶劑:丙二醇單甲醚乙酸酯, 20 ℃/30 min;耐鍍金:電流密度 20 A/m2, 金厚 30 μm;側蝕量:≤10 μm;開口率:≥90%;通過封裝加裸載板可靠性驗證,無開裂、分層現象。

          可靠性:參考 JEDEC 標準,達到載板及器件工藝和可靠性要求,L/S 18/18 um BHAST(偏壓高加速應力測試) 130 ℃/96 h 10 V ;無開裂、分層現象。

          (2) 產業化指標。

          實現 IC 載板專用防焊油墨和防焊干膜的產業化生產,產品性能滿足用戶需求,具有持續穩定的供貨能力,與用戶簽訂正式采購協議。項目完成時實現量產防焊油墨≥1000kg,防焊干膜≥5000m2。

          (3) 其它指標。

          申請發明專利不少于 5 件。

          3. 申報要求。

          由省內企業牽頭申報,鼓勵產學研聯合申報。完成時項目單位按產業化指標要求須與下游用戶簽訂正式采購協議,持續供貨6 個月以上,產業化生產落地須在廣東企業。


          專題三 集成電路封裝用電子化學品

          方向 8 面向晶圓級先進封裝制程的光敏聚酰亞胺(PSPI)材料的研發及產業化

          1. 研究內容。

          研究適用于先進封裝制程的 PSPI 材料,開展 PSPI材料樹脂主鏈化學結構和光敏功能基團設計與調控研究,闡明樹脂結構與性能的構效關系,實現對 PSPI 力學、光刻等性能的調控;開展材料的整體設計和機理探索,實現在 PSPI 材料高分辨率的基礎上,對界面粘附性、耐化性的有效控制,建立原型材料配方數據庫;開展材料中試的工藝研究,驗證通過的產品實現批次量產,獲得品質穩定的 PSPI 產品。

          2. 考核指標。

          (1) 技術指標。

          光敏聚酰亞胺材料:固化溫度:250~280 oC,楊氏模量>3.2 GPa ,斷裂應力>130 MPa ,斷裂伸長率>40% ,玻璃化溫度Tg>250 oC, 熱分解溫度(5%) >350 oC,熱膨脹系數: 40-70 ppm,殘余應力:19~29 MPa;介電常數:<3.3@1 GHz,介電損耗:<0.015@1 GHz;光刻精度:5 um/5 um (L/S,線條深寬比AR<1.0 ,曝光能量 200-400 mJ/cm2) , Cu/Si 粘結強度: >10 MPa;達到終端客戶認定的芯片封裝可靠性驗證標準(參考電子器件工程聯合委員會 JEDEC 標準),需滿足大尺寸 FCBGA 的高應力場景,芯片面積≥700 mm2、載板層數≥18 的 FCBGA 器件上滿足工藝和可靠性要求);吸水率<1%,固化體積收縮率<50%; 與 Al,SiN,環氧模塑料等多種材料基底界面粘接力良好。

          (2) 產業化指標。

          完成先進封裝應用的 PSPI 材料各項關鍵技術,達到先進封裝工藝及可靠性指標要求,實現產業化應用,具有良好的批次穩定性,項目成果滿足用戶制程的要求,與用戶簽訂正式采購協議,項目完成實現單批次量產≥50kg。

          (3) 其它指標。

          申請發明專利不少于 10 件。

          3. 申報要求。

          省內企事業單位均可牽頭申報,鼓勵產學研聯合申報。完成時項目單位按產業化指標要求須與下游用戶簽訂正式采購協議,持續供貨 6 個月以上,產業化生產落地須在廣東企業。


          方向 9 倒裝芯片封裝底部填充材料的研發及產業化

          1. 研究內容。

          研究倒裝芯片底部填充膠中關鍵無機填料及其表面改性技術,填充膠用樹脂基體的結構設計與反應機理;開發液態低粘度高純環氧 A 和環氧 F 樹脂,優化配方和在窄間距大尺寸芯片上的無缺陷施膠工藝及其固化過程,實現填充材料的熱力學性能、微觀力學性能的技術突破;研究在大尺寸芯片上的復雜封裝結構界面失效機理及封裝可靠性,驗證其在窄間距大尺寸芯片中的應用,并實現產業化。

          2. 考核指標。

          (1) 技術指標。

          1)芯片級底部填充膠基礎原材料:填料電子級球形二氧化硅:平均顆粒尺寸 0.05-1 μm,最大顆粒尺寸≤5 μm,純度≥99.5%,球形度≥95%,金屬離子含量≤300 ppm。底部填充膠基礎樹脂(雙酚 F、雙酚 A、萘型環氧樹脂)純化指標為:水解氯≤300 ppm, 總 鹵 素 含 量 ≤800 ppm 。

          2)芯片封裝底部填充膠:固化溫度≤150 ℃,粘度≤55 Pa?S(室溫);熱膨脹系數 CTE1/CTE2(ppm/K)≤28/87;儲能模量(Tg): ≥0.1 GPa,彈性模量≥2.0 GPa;斷裂韌性≥3.0 MPa?m1/2;與硅、鈍化層(聚酰亞胺、SiN) 等具有良好界面粘接;施膠過程溢出≤1 mm,無爬膠的問題;吸水率<1.2%(沸水 24 h),芯片區域空洞率<0.5%,無流痕,樹脂和填料沒有分層現象。

          可靠性指標:參考 JEDEC(電子器件工程聯合委員會)標準,需滿足大尺寸 FCBGA 的高應力場景,芯片面積≥700 mm2、載板層數≥18 的 FCBGA 器件上滿足工藝和可靠性要求,倒裝芯片封裝底部填充膠無界面分層和開裂等問題。

          (2) 產業化指標。

          開發滿足項目指標要求的 2 款底部填充材料,通過用戶芯片封裝測試,具備良好的批次穩定性,滿足用戶制程要求,實現產業化應用。與客戶簽訂正式采購協議,持續供應 6 個月以上;項目完成實現球形二氧化硅填料量產≥50kg,底部填充膠量產≥50kg。

          (3) 其它指標。

          申請發明專利不少于 10 件。

          3. 申報要求。

          由省內企業牽頭申報,鼓勵產學研聯合申報。完成時項目單位按產業化指標要求須與下游用戶簽訂正式采購協議,持續供貨6 個月以上,產業化生產落地須在廣東企業。


          專題四 電子電路制造用電子化學品

          方向 10 高端鍍銅添加劑及其應用技術的研發及產業化

          1. 研究內容。

          開展電子電路制造過程的封裝基板及板級封裝的銅柱電鍍,高密度互聯板及類載板超薄圖形填孔電鍍,高縱橫比背板及封測基板導通孔脈沖電鍍,基板通盲孔共鍍等 4 類高端鍍銅添加劑及其應用電鍍技術的研發及產業化。

          開展對電鍍添加劑原料的設計與計算研究,實現核心添加劑原料的自主合成與量產;開發耐高電流、強電場的高穩定性電鍍添加劑,開展電鍍機理研究;研究具有協同作用的含硫化合物、聚醚化合物、含氮化合物等關鍵材料;研究有機添加劑的吸附和脫附機理、晶粒生長行為,提升電鍍液的穩定性、使用壽命和電鍍的深度、均勻性等;研究化學構建多含氮整平劑、電鍍填孔添加劑、超微全銅通盲孔技術,開發新型填孔電鍍添加劑及其應用工藝;開展四類鍍銅添加劑的配比優化、鍍液的管理與成份分析研究,電鍍液與設備的匹配性及電鍍液全生命周期的品質控制等應用技術研究,實現產品的高可靠性規?;a。

          2. 考核指標。

          (1) 技術指標。

          1) 封裝基板及板級封裝銅柱電鍍添加劑

          電鍍工藝能力:電流密度 8-12 A/m2;基板及板級封裝:典型介質層(FR-4 或 B)厚度為 100 μm,銅柱厚徑比≥2:1;焊盤平整度<15%;耐熱沖擊:288 ℃、10 s、6 次以上;延展性:延伸率>18%,抗拉強度>250 MPa;冷熱循環-65 ℃~+170 ℃,500 次,電阻變化小于 5%(IPC-TM-650 2.6.7.2B 條件 F,國際電子工業聯接協會標準)。

          2) 高密度互聯板及類載板超薄圖形填孔電鍍添加劑

          電鍍工藝能力:根據不同盲孔規格選擇不同電流密度 1.0~2.0 A/m2;外觀:銅面光亮平整,沒有銅瘤異常;填孔率:凹陷<8μm,面銅鍍厚≤8 μm(盲孔 4:3);均鍍能力:銅厚極差≤3 μm;

          高密度互聯板及類載板:適合 M4、M6 級別的材料,盲孔介質層厚度 50 μm,盲孔直徑 60 μm,無柱狀結晶及其他異常結晶(掃描電鏡 SEM 檢查);耐熱沖擊:288 ℃、10s、6 次以上; 延展性:延伸率 >12% ,抗拉強度 >250 MPa ;冷熱循環- 55 ℃~+125 ℃ ,500 次,電阻變化小于 5% ( IPC-TM-6502.6.7.2B 條件 F)。

          3) 高縱橫比背板導通孔脈沖電鍍添加劑電鍍工藝能力:深鍍(TP)能力≥90%(厚徑比 20:1),TP≥80% (厚徑比 30:1 ),在全電鍍生命周期內 TP 衰減率≤5%。

          高縱橫比背板:高速材料達到 M4、M6 和 M7 級或相當,高頻材料為聚四氟乙烯(PTFE)材料,耐熱沖擊:288 ℃、10 s、6 次(含)以上無孔壁分離及孔角斷裂;典型無鉛回流焊:5 次(含)IR 阻值變化≤10%;冷熱循環-55 ℃~+125 ℃,500 次、IR 阻值變化≤10%(IPC-TM-650 2.6.7.2)。

          4) 基板通盲孔共鍍添加劑

          電鍍工藝能力:電流密度為 3~5 A/m2,電鍍時間為 15~30 min;通孔深鍍能力≥80%(通孔厚徑比 6:1);銅厚極差≤5 μm, 通盲孔共鍍盲孔凹陷值≤10 μm;全銅填充盲孔直徑 50~175 μm。

          通盲共鍍基板:耐熱沖擊:288 ℃、10s、6 次以上;延展性 : 延 伸 率 >12% , 抗 拉 強 度 >250 MPa ; 冷 熱 循 環 -55 ℃~+125 ℃ , 500 次,電阻變化小于 5% ( IPC-TM-6502.6.7.2B 條件 F)。

          (2) 產業化指標。

          項目完成須實現 4 種體系添加劑均穩定量產 1000kg 以上。項目成果滿足用戶制程需要,與用戶簽訂正式采購協議,持續供貨 6 個月以上。

          (3) 其它指標。

          申請發明專利不少于 10 件。

          3. 申報要求。

          由省內企業牽頭申報,鼓勵產學研聯合申報。完成時項目單位按產業化指標要求須與下游用戶簽訂正式采購協議,持續供貨6 個月以上,產業化生產落地須在廣東企業。


          方向 11 高頻高速印制電路板(PCB)用極低輪廓電子銅箔的研發及產業化

          1. 研究內容。

          開展溶液凈化技術、陰極輥表面組織精細調控及磨拋技術與研磨材料的研究,實現陰極輥表面超光滑加工和極低輪廓電沉積銅箔生產;攻關低輪廓電解銅箔新型添加劑工藝技術,研究添加劑與銅箔性能的關系,針對不同性能電解銅箔,研究添加劑組合工藝,提高極低輪廓電子銅箔延伸率;開展低瘤化表面處理技術攻關及設備研發,提升銅箔的抗剝離強度,開展有機無機網絡互穿界面層鍵合橋梁技術研究,滿足產品可靠性要求,實現規?;a。

          2. 考核指標。

          (1) 技術指標。

          極低輪廓電子銅箔指標:厚度≤35 μm;粗糙度 Rz≤1 μm, Rmax≤2.0 μm;剝離強度≥1 N/mm;拉伸強度≥400 N/mm2,延伸率≥6%;每 300 mm×300 mm 染色浸透點的個數不超過 3 個。

          可靠性測試指標:高溫抗氧化:200 ℃烘烤 30 min,表面無氧化變色;抗化性:配置濃度 12%的 HCl 溶液,銅箔浸泡 30 min,抗化性≤3%;耐焊性:錫爐 288℃,浸錫,表面無分層起泡IPC-TM-650 2.4.8.2(國際電子工業聯接協會標準);信損測試: 長度為 15.5 inch 的帶狀線在 1GHz 頻率下測試信號損耗(單端50 Ohm) ≤0.6 dB/inch。

          (2) 產業化指標。

          完成超低輪廓銅箔的結合強度表征測試,達到用戶要求應用場景的可靠性評價,實現產業化應用,項目成果滿足用戶制程的要求,與 2 家以上用戶簽訂正式采購協議,持續供應 6 個月以上。

          (3) 其它指標。

          申請發明專利不少于 10 件。

          3. 申報要求。

          本方向采用定向委托方式。完成時項目單位按產業化指標要求須與下游用戶簽訂正式采購協議,持續供貨 6 個月以上,產業化生產落地須在廣東企業。


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